About this role
As a PhD candidate in R&D CMOS Integration , you will conduct advanced research on the development and optimization of ferroelectric HfO₂-based devices for next‑generation memory and AI applications. Core Research Topics Ferroelectric HfO₂ Devices (FeFET / FeCAP) - Optimization of HfO₂ thin films for stable ferroelectric behavior and investigation of polarization switching, retention, endurance, and variability. - Device-level physics analysis of ferroeletricity based CMOS embedded devices and in-memory computing applications. - Exploration of integration schemes into advanced FDSOI (FDX®) and bulk CMOS technologies. Advanced Characterization & Materials Analysis - Structural and electrical analysis using: TEM / STEM (including advanced contrast techniques such as DPC) / SEM and nanoscale imaging tools - Electrical device and simple circuit characterization and mapping the results to structural data. Required Qualifications - Master’s / Diplom degree in Materials Science, Physics, Electrical Engineering, or a related discipline - Strong expertise in semiconductor materials analysis and nanostructure characterization. - Hands-on experience with TEM / STEM /SEM characterization FIB preperation and analysis are beneficial. - Experience in data analysis using Python - Background in semiconductor device physics (e.g., MOSFETs, ferroelectric devices) - Exposure to HfO₂-based ferroelectric devices / FeFETs are desirable - Proven research capability through Thesis work at leading research institutes and Scientific publications or conference contributions What We Offer - Direct supervision within the Technology Architect /TD Group at GlobalFoundries Dresden - Access to state-of-the-art semiconductor fabrication and characterization infrastructure - Opportunity to work at the forefront of Ferroelectric memory technologies and AI hardware and in-memory computing - Strong collaboration with internal R&D, device engineering, and external research partners - Opportunity to publish in leading journals and present at top-tier conferences - Integration into one of Europe’s leading semiconductor research ecosystems Key Details - Start Date: October 1st, 2026; limited contract for 3 years. - Location: GlobalFoundries Dresden, F1. - Degree: PhD (in cooperation with a partner university, e.g. TU Dresden) Information about our benefits you can find here: hier Schlagworte: CHIP,Englisch, Empfehlungsbund Quelle/Bewerbung via: https://www.empfehlungsbund.de/jobs/302985/phd-for-r-und-d-cmos-integration ( https://www.empfehlungsbund.de/jobs/302985/phd-for-r-und-d-cmos-integration#apply_form ) Kurzinfo zum Unternehmen Über GF GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt zum Leben, Arbeiten und Vernetzen verlässt. Wir sind innovativ und arbeiten mit unseren Kunden zusammen, um energieeffizientere und leistungsfähigere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente mobile Geräte, das Internet der Dinge (IoT), Kommunikationsinfrastrukturen und andere wachstumsstarke Märkte zu entwickeln. Mit unserem globalen Produktionsnetzwerk, das sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, sind wir eine vertrauenswürdige und zuverlässige Quelle für Kunden in aller Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes und vielfältiges Team Ergebnisse mit einem unnachgiebigen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. GF beschäftigt weltweit rund 13.000 Mitarbeitende, davon 3.000 in Dresden. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com .